Виктор Косушкин — доктор технических наук, профессор.
Родился 25 сентября 1948 года в Калуге.
Окончил в 1966 году среднюю школу №9 города калуги, в 1972 году — инженерный физико-химический факультет Ленинградского технологического института имени Ленсовета по специальности «инженер-химик — технолог по химии твёрдого тела», в 1985 году — аспирантуру при Московском институтестали и сплавов (МИСиС) по специальности «технология полупроводников и материалов электронной техники».
В 1986 году в МИСиС защитил кандидатскую (кандидат технических наук) диссертацию на тему «Оптимизация способов получения монокристаллов арсенида индия большого диаметра и материалосберегающей технологии их производства» по специальности «технология полупроводников и материалов электронной техники».
В 1991 году присвоено учёное звание старшего научного сотрудника по этой же специальности.
В 2000 году в МИСиС защитил докторскую диссертацию на тему «Управление ростом монокристаллов арсенида галлия и индия путём низкоэнергетических воздействий» по специальности 05.27.06 — технология полупроводников и материалов электронной техники».
В 2004 году присвоено учёное звание профессора по кафедре математического моделирования.
Автор 126 научных публикаций, 3 монографий. Получил 23 авторских свидетельства и 6 патентов на изобретения. В числе его учеников 1 доктор и 5 кандидатов наук.
Служил в Советской армии, работал на должности инженера, начальника лаборатории во ВНИИМЭТ, заместителем директора департамента образования и науки, заместителем министра промышленности, науки и малого предпринимательства Калужской области.
В настоящее время — заведующий кафедрой материаловедения КФ МГТУ имени Н.Э. Баумана и по совместительству заместитель директора по инновационной деятельности ОФ НИФХИ имени Л.Я. Карпова.
Награждён премией Британской ассоциации роста кристаллов (1998). Академик Академии проблем подъёма экономики России (2004).
| Доктора наук |
| Персональные страницы |
